M425R4GA3PB0-CWM Samsung 1x32GB DDR5 RAM

Hochleistungs-DDR5 SO-DIMM Speicherbaustein für dichte Compute- und Edge-Plattformen mit dem M425R4GA3PB0-CWM

Der M425R4GA3PB0-CWM ist ein 32GB DDR5 SO-DIMM, der entwickelt wurde, um die Speicherkapazität und Bandbreite in Client-, Edge- und Small-Form-Factor-Systemen zu erhöhen, bei denen ein Non-ECC Betrieb eine definierte Plattformanforderung ist. Mit JEDEC-bewerteter DDR5-5600 Datenübertragungsleistung unterstützt das Modul moderne CPU-Generationen, die von höherem Speicherdurchsatz und verbesserter Effizienz pro Watt profitieren, was hilft, Speicherengpässe in CPU-intensiven Workloads zu reduzieren.

Architektonisch richtet sich der M425R4GA3PB0-CWM an 262-polige unbuffered SO-DIMM-Steckplätze und integriert eine Dual-Rank-Organisation, um die effektive Parallelität bei gemischten Lese-/Schreibmustern zu verbessern, die in virtualisierten Desktops, Build-Workloads und Analytics-Vorverarbeitung üblich sind. Der 64-Bit-Datenpfad und das 1,1V-Betriebsprofil sind auf dichte Systemdesigns abgestimmt, bei denen begrenzte thermische und Leistungsverfügbarkeiten vorliegen. Obwohl die PCIe-Generation und das Speicherdesign von der Plattform abhängen, sorgt der Einsatz des M425R4GA3PB0-CWM dafür, dass das Speichersubsystem NVMe- und hochfrequente I/O-Pipelines besser aufrechterhalten kann, indem CPU-Warteschlangen gefüllt und Seitenbelastung bei Multi-Anwendungs-Konkurrenz reduziert werden.

Warum den M425R4GA3PB0-CWM wählen?

Die Wahl des M425R4GA3PB0-CWM bietet einen praktischen Upgrade-Pfad in Bezug auf Dichte und Leistung für SO-DIMM-basierte Systeme, die Kompatibilität zu Non-ECC-Speichercontrollern gewährleisten müssen. Er ermöglicht eine skalierbare Kapazitätsplanung durch vorhersehbares JEDEC-Verhalten, unterstützt standardisierte Flottenkonfigurationen und verbessert die Stabilität der Workloads, indem Speicher-Konkurrenzen minimiert werden, ohne registrierte oder gepufferte Abhängigkeiten einzuführen.

Samsung entwickelt den M425R4GA3PB0-CWM mit einem unternehmensweiten Fertigungsansatz, der auf konsistentes Binning, Rückverfolgbarkeit und langfristige Lieferbereitschaft abgestimmt ist – passend zu den aktuellen Anforderungen von Rechenzentrum- und Edge-Lifecycle, und unterstützt wiederholbare Einsätze über verteilte Standorte hinweg.

Wichtige Anwendungen:

• Speichererweiterung für Clients und Laptops
• Edge-Appliances und Microserver mit DDR5 SO-DIMM-Steckplätzen
• Virtualisierung und VDI-Endpunkte im Small-Form-Factor-Bereich
• Workstations mit höherem Kapazitätsbedarf ohne ECC-Anforderung
• Build- und Kompilierungsumgebungen

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