M386B4G70BM0-YH9 Samsung 1x16GB DDR3 LRDIMM ECC RAM

Hochdichte DDR3L LRDIMM Server-Speichererweiterung mit ECC-Skalierung – M386B4G70BM0-YH9

Das M386B4G70BM0-YH9 ist ein Samsung DDR3L ECC Load-Reduced DIMM-Kit, das speziell für die Kapazitätserweiterung in DDR3-basierenden Xeon- und Opteron-Serverplattformen entwickelt wurde, bei denen Kanalbelastung und DIMM-Belegung das Wachstum begrenzen. Durch den Einsatz von LRDIMM-Buffering ermöglicht das M386B4G70BM0-YH9 eine höhere DIMM-Anzahl pro CPU-Sockel im Vergleich zu Standard-RDIMMs und unterstützt speicherintensive Konsolidierungsziele bei gleichzeitiger Wahrung einer stabilen Signalqualität.

Entwickelt für DDR3L-1333 Betrieb bei 1,35 V, balanciert das M386B4G70BM0-YH9 Bandbreite und Energieverbrauch für dichte Virtualisierungs- und Datenbank-Knoten. Sein 72-Bit-ECC-Datenpfad schützt den Speicherstatus und verringert das Betriebsrisiko von Soft-Fehlern unter anhaltender Last. Die Quad-Rank-x4-Organisation ermöglicht große Kapazitäten, und das 240-Pin Niedrigprofil-Formfaktor mit integriertem Kühlkörper passt in typische 1U/2U Thermalszenarien. In DDR3-Architekturen, bei denen PCIe-Erweiterungen und Speicher-Stufen bereits festgelegt sind, stellt der Einsatz des M386B4G70BM0-YH9 eine direkte Möglichkeit dar, RAM als Engpass für Cache, Analytics-Arbeitsmengen und VM-Oversubscription-Strategien zu eliminieren.

Warum das M386B4G70BM0-YH9 wählen?

Das M386B4G70BM0-YH9 bietet einen praktischen Pfad von Dichte zu Leistung, um die Nutzungsdauer von DDR3-Serverbeständen zu verlängern und mehr Kapazität pro Node zu ermöglichen, ohne die Plattform neu zu gestalten. Die Eigenschaften von LRDIMM verbessern die Skalierbarkeit bei der Belegung mehrerer Slots pro Kanal, während ECC und Validierung auf Unternehmensniveau eine vorhersehbare Verfügbarkeit über größere Speicherbereiche hinweg gewährleisten.

Die Speicherentwicklung bei Samsung konzentriert sich auf strenge Prozesskontrolle, langfristige Lieferstabilität und Qualifikation gemäß den Standards von Unternehmensservern. Dieser Ansatz stellt konsistentes elektrisches Verhalten, Kompatibilität mit gängigen DDR3L-Speichercontrollern und zuverlässigen Betrieb in dauerhaft belasteten Rechenzentrumsumgebungen sicher.

Wichtige Anwendungsbereiche:

• Virtualisierung und VDI-Speicherskalierung
• In-Memory-Datenbanken und Cache-Ebenen
• Erweiterung von Analytics-Arbeitsmengen
• Speicher-Refresh von Unternehmensservern auf DDR3-Plattformen

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